各學院/部門：
為深入實施創新驅動發展戰略，加快建設具有全球影響力的科技創新中心，根據《上海市建設具有全球影響力的科技創新中心“十四五”規劃》，上海市科學技術委員會特發布2025年度關鍵技術研發計劃“前沿與交叉技術領域”項目申報指南。
一、征集范圍
專題一、未來制造
方向1：原子級制造
1. 3 nm及以下節點金屬互連電化學原子層沉積技術
研究目標：面向集成電路先進制程演進對金屬互連線間距、通孔深寬比的極限需求，開展金屬互連原子層沉積關鍵技術研究，滿足3 nm以下制程節點金屬互連工藝需求。
研究內容：開展金屬薄膜自限性沉積的關鍵技術研究，完成原子層沉積裝置原型樣機開發。實現銅、鈷、釕及新型互連材料金屬原子逐層沉積與控制，電阻率與體材料接近（且<10 μΩ?cm），雜質水平<0.5 at%，無鹵素污染；開發3 nm以下制程節點，線間距小于12 nm、深寬比超過7:1的后段金屬互連工藝。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
2. 5 nm及以下節點介質原子層蝕刻技術
研究目標：面向集成電路先進制程節點介質層對蝕刻形貌、蝕刻均勻性、蝕刻選擇比的極限要求，開展原子尺度精準蝕刻關鍵技術研究，滿足5 nm及以下先進邏輯工藝電介質原子層刻蝕工藝需求。
研究內容：面向5 nm及以下先進邏輯工藝所需的電介質原子層蝕刻工藝，完成原子層蝕刻裝置原型樣機開發。突破快速脈沖供氣、快速氣體切換、等離子體能量精準控制、顆粒污染控制等關鍵技術；實現原子層蝕刻能力、對小尺寸（~10 nm）孔洞蝕刻深寬比>5:1，金屬污染<101? atom/cm2。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
3. 大口徑精密光學元件原子級拋光及缺陷修復技術
研究目標：面向強激光等場景對精密光學元件的原子級精度加工需求，開展原子級拋光及缺陷調控技術研究，在相關重大科技基礎設施和工業領域實現應用。
研究內容：開展復合能場原子級拋光及缺陷調控機理研究，開發能場控制、拋光耗材、工件運動控制等關鍵技術，實現原子級精準修形和缺陷損傷修復。具備大口徑光學元件等產品的原子級拋光及缺陷損傷的修復能力，采用行業國標測試標準，對典型工件拋光表面粗糙度（RMS）≤0.5 nm；可有效修復原子級缺陷類型≥5種，修復后的損傷閾值提升>50%（且絕對值不低于35 J/cm2）。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
4. 基于主動式掃描探針的原子級制造系統
研究目標：以原子級光刻制造為牽引，針對現有電子束光刻機寫場拼接非原位對準的精度不足，開展高精度電子束定位與控制技術研究，實現國際領先圖形拼接精度的電子束光刻樣機研制及產業化應用。
研究內容：開發基于多探針的高效原子級制造系統樣機。突破主動式探針微納加工關鍵技術，實現晶圓級、批量化制造；突破高頻反饋控制等關鍵技術，實現基于主動式探針的智能化控制系統。光刻圖形寫場拼接精度≤2 nm。完成不少于2個客戶的銷售，并協同開展2項以上應用場景開發。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
5. 高通量原子級制造量測技術
研究目標：以確保原子級制造過程和產品質量為目標，突破現有檢測技術精度與效率平衡的局限。研發具備原子級分辨率、高通量、抗干擾的表征技術，具備原子級加工過程關鍵數據動態表征能力，在新材料開發、芯片制程、元件加工等場景實現應用驗證2項以上。
研究內容：面向原子級制造對表征技術的嚴苛要求，專注于制造過程的動態監測和產品精準評測。開展超高時空精度表征、高效無損在線監測、高通量檢測技術及核心元件研究。突破高端測量設備核心技術部件，攻克測量效率瓶頸。完成表征系統樣機研制，構建適用于原子級制造工業場景的表征技術體系。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
6. 原子級材料智能設計與制造創新體系
研究目標：面向原子級材料按需制備的迫切需求，針對人工經驗主導的設計方法周期長、效率低、性能預測難等瓶頸，發展智能算法與模型，建立原子級材料的通用設計平臺，實現高性能新材料的高效預測、按需制備和快速迭代。
研究內容：第一性原理計算與深度學習算法深度融合。依托多自由度的原子級精準操控技術，研發至少2種具有代表性的先進制備方案，包括原子級自組裝和原子層異質堆疊等關鍵技術，推動材料結構與性能的按需調控和自適應迭代制造。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
7. 原子級精準調控材料與器件性能躍升
研究目標：研究原子尺度材料與器件界面通用調控體系，實現關鍵性能指標大幅躍升，在電子信息、能源電力等關鍵戰略領域實現至少1項以上落地應用。
研究內容：建立原子尺度材料界面表征與分析體系，明確界面微觀結構與性能之間的定量關聯機制；開發通用的原子級界面調控技術，包括精確控制界面材料的原子層厚度、優化界面原子構型與成分梯度；設計并制備高效的原子級保護層，顯著抑制材料退化。攻克原子級精度的多元協同調控核心技術（如沉積、摻雜、擴散、刻蝕、相變、應力等），解決界面氧化、非晶死層、晶格錯配、元素遷移等典型問題，實現關鍵性能指標顯著提升，并大幅提升長期穩定性指標，在關鍵戰略領域實現落地應用。構建材料與器件性能優化通用理論模型，推動示范應用與產業化技術開發。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
方向2：先進激光制造
1. 復雜加工場景與寬溫域服役條件下激光焊接關鍵技術及應用驗證
研究目標：面向寬溫域下高可靠性服役需求，針對高強不銹鋼等高強構件（室溫抗拉強度>1200 MPa）焊接接頭性能弱化抑制問題，開展激光焊接工藝-微觀組織-力學性能關聯機制研究，在航空航天、海洋工程等領域不少于2種典型結構件上實現應用驗證。
研究內容：研究多光場協同下激光填絲焊熔池波動及焊縫成形調控，開發高質量、高效率激光焊接材料、焊接技術及焊縫跟隨系統。實現在裝配間隙0-0.3 mm等復雜加工場景下高可靠性焊接。77-373 K寬溫域服役條件激光拼焊接頭強度（抗拉、屈服）系數均不低于基材90%，斷裂延伸率不低于基材50%。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
2. 超大部件激光加工數字孿生與參數智能優化研究
研究目標：針對能源裝備、艦船制造、冶金化工領域汽輪機組件等超大部件高效設計、加工、裝配與檢修全生命周期需求，研發激光加工數字孿生與參數智能優化系統。提升裝配合格率，降低維修成本，為部件設計及加工參數的迭代優化提供理論依據與技術指引。
研究內容：研究超大部件內部空間高精度自動檢測技術，動態獲取其加工過程關鍵尺寸并生成最優激光加工工藝參數，線性精度25 μm+6 μm/m，測量范圍≥10 m。研究多軸高精度運動控制系統，實現大型裝備超遠距離多自由度靈活測量，特別是窄、小、深位置的精準測量。研究大型部件虛擬裝配技術，開發虛擬裝配交互平臺，實現關鍵尺寸的數字化仿真加工和預裝配，自動采集超大部件長期運行關鍵尺寸變化量，制作數據庫并解析其時間演變機理，優化大型構件激光加工工藝參數。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
3. 激光增材制造新型高承溫合金構件的智能成分設計與工藝研究
研究目標：面向航空航天、能源裝備領域熱端部件性能與成本兼顧需求，針對關鍵構件激光增材制造質量和高溫持久性能不足的問題，開發基于機器學習的智能成分設計與工藝研究方法，所設計的高溫合金在2種以上高端裝備耐熱材料結構件上通過試制驗證。
研究內容：開展增材制造新型高承溫鎳基合金智能設計研究，形成基于機器學習的熱力學可打印性和高溫強度設計準則及數據庫，數據庫數據量≥15萬條。建立新型合金增材制造工藝-組織-性能關聯性及形性協同調控方法。通過機器學習智能設計，完成激光增材制造高承溫合金開發，在高端裝備的關鍵熱端部件上通過試制驗證。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
專題二、交叉領域
方向1：空間與能源交叉融合
1. 高空風電技術與裝備原型開發
研究目標：面向高空風能的捕捉利用，研發高空風能發電技術與裝備原型，實現連續穩定示范運行，取得工程化應用突破。
研究內容：研發高空風電技術與裝備，包括實驗室概念驗證、關鍵部件與構型設計、系統整體穩定性優化等。所開發的原型機在不低于600米高度上實現示范應用，連續工作不低于100小時，單位面積集能輸出功率不少于200 MW/km2。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過500萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
方向2：生物與信息交叉融合
1. 多器官芯片互作及培養系統開發
研究目標：面向低成本、高效率新藥研發需求，開發多器官芯片平臺，體外模擬人類生理系統，實現在早期藥物發現或藥物安全性測試中的應用。
研究內容：開展多器官芯片互聯技術研究，支持至少3種及以上器官芯片的功能耦合與協同作用。研發非侵入式多模態生物傳感陣列，實現器官芯片內電生理信號與光學信號的原位采集，以及多模態數據的自動化采集與標準化輸出。開發溫度、濕度、流速及氣體環境等參數的動態監測與調節系統，確保芯片內細胞活性維持至少6個月。建立基于AI的藥物預測模型，動態監測藥物的有效性及毒性（準確率>95%）。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
2. 人工心肺機關鍵技術與裝備研發
研究目標：研發人工心肺機關鍵技術與裝備，在術式配置靈活性、智能化核心參數監測及與高級生命支持設備協同等功能上達到實用需求，完成型式檢驗、動物實驗和臨床試驗。
研究內容：研發具有抗凝涂層和優異生物相容性的氧合器及管路材料，氧氣交換率≥45 mL/L/min，二氧化碳排除率≥38 mL/L/min。開發基于離心泵作為主泵的循環系統和智能灌注監控系統，實現動/靜脈血液飽和度、流量、溫度等多參數實時采集，及基于循環參數與患者個體特征的智能最優灌注方案生成。開發模塊化循環支持系統，能夠根據手術需求靈活配置，并與ECMO設備高度兼容。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
3. 無創三維顱腦功能成像
研究目標：研發三維顱腦功能超聲成像儀，實現從腦皮層至深腦區的微小血管超聲成像。建立無創、精準的高時空分辨率神經功能血供評價方法。
研究內容：研發高分辨率腦功能成像技術，實現大腦功能的實時精確檢測（時間分辨率<10 ms，顱腦成像深度>10 cm）和微血管超聲顯微（空間分辨率<10 μm，檢出低至1 mm/s流速的微血流）。解析核團神經微環路和全腦尺度的動態/瞬態功能連接，探索單神經元分辨率與全腦功能網絡關系。探索成像方法在重大腦功能疾病的早診早治、腦血管病評價、腦功能評價等場景下的應用研究。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
方向3：生物與制造交叉融合
1. 核酸介導的高性能半導體器件及電路開發
研究目標：研發基于核酸模板的高性能半導體器件及電路，為集成電路先進制程提供使能技術。
研究內容：解決多尺寸核酸模板的精準組裝、基于模板的功能材料有序排布，以及生物-半導體界面的高效調控等關鍵技術問題。實現場效應晶體管特征尺寸≤10 nm，遷移率>2000 cm2/V?s，亞閾值擺幅≤60 mV/dec，開關比≥10?。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
2. 多酶體系生物制造示范驗證
研究目標：為系統性解決多酶催化體系的設計難題，創制高性能生物催化元件，研發智能化多酶體系構建方法，實現高效生物制造示范應用。
研究內容：開發由人工智能驅動的新型酶元件挖掘算法，創制一批高效且穩定的核心酶元件。構建智能化多酶復合體設計平臺，并對其進行系統集成和逐級放大驗證，針對黃酮類、生物堿類、核酸類或氨基酸衍生物等化合物，構建體內/體外高效生物制造路徑，建立噸級工業示范生產線。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
方向4：材料與生物交叉融合
1. CT球管用石墨復合靶盤制備技術
研究目標：針對高性能醫療CT球管石墨靶盤加工難題，制備真空性能穩定，高溫強度優良，散熱高效的石墨復合靶盤，并形成靶盤穩定批量化制造能力。
研究內容：研制CT球管用,鎢錸合金、鉬鋯鈦合金等和石墨構成的復合靶盤，鎢錸合金密度≥18.5 g/cm3、鉬鋯鈦合金密度≥9.9 g/cm3；提高等靜壓石墨性能，石墨密度≥1.83 g/cm3、硬度≥58 HSD、電阻率10-12 μΩ?m、彎曲強度≥48 MPa、抗壓強度≥100 MPa、抗拉強度≥29 MPa、楊氏模量10-13 GPa、熱膨脹4.8-5.5×10-6/K、熱導率≥115 W/(m?K)；開發靶盤材料焊接技術，異種材料焊接強度≥18MPa；制備石墨復合靶盤30件，靶盤連續掃描時間≥60 s、工作轉速≥8400 RPM、最高轉速≥12000 RPM（工作溫度1200℃）、散熱功率≥19 kW（測試真空度10-7 Pa，25℃）；完成不少于10支CT球管應用。
執行期限：2025年11月1日至2028年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于2:1。
申報主體要求：本市企業。
2. 高性能磁性微球材料制備技術及應用
研究目標：針對當前國產磁性微球存在的問題，開發具有高比表面積、可控表面化學特性及優異生物相容性的功能化磁性微球材料，實現活性基團密度的精準調控、粒徑均一性控制及超低非特異性吸附，形成技術領先，性能可靠，穩定量產的制備方案。
研究內容：面向生物醫藥、體外診斷等領域需求，研發不同粒徑的磁性微球，至少包含1 μm、3 μm，粒徑分散系數≤0.1，磁性納米顆粒均勻分散于聚合物微球中，磁響應時間≤10秒（0.3 T磁場下磁分離效率≥99%），飽和磁化強度≥70 emu/g，剩磁≤3%；研發包含不同功能基團的磁性微球，至少包含羧基、甲苯磺酰基，功能基團分布CV≤5%，批內重復性CV≤6%，批間差異CV≤8%（連續10批次），連續20批次粒徑分布波動≤±5%，2-8℃儲存條件下功能穩定性大于2年，4-40℃儲存12個月后磁響應時間波動≤5%、偶聯效率下降≤3%，經5次磁分離-重懸循環后，磁珠回收率≥99%；建成磁珠生產線，建立從磁性微球合成、表面功能化到批次質控的全流程國產化生產體系，單批次產能≥5 kg、粒徑合格率≥95%，應用于化學發光等臨床診斷產品并取得用戶驗證測試報告。
執行期限：2025年11月1日至2028年10月31日。
經費額度：（1）非定額資助，擬支持不超過3個項目，每項資助額度不超過300萬元；（2）實施“賽馬制”。
3. 長江口二號古船出水文物保護關鍵技術研究與應用
研究目標：針對出水古船典型病害評估與保護處理共性需求，解析基于多相界面的“微生物－鐵腐蝕－木質劣化”耦合作用機制，開發高效、精準的彩釉腐蝕防治關鍵材料與技術，形成古船微生物病害智能化快速檢測系統。
研究內容：研究古船“木/鐵復合構件”典型病害分類量化評估技術方法，評估應用案例不少于15個；完成古船“木/鐵復合構件”保護處理應用案例不少于20個；研發適用于出水古陶瓷彩釉腐蝕防治的多酸/固載生物耦合水凝膠保護材料，生物腐蝕與礦化沉積的去除率不低于90%；完成出水古陶瓷彩釉變色的精確逆向復色保護技術研發，應用案例不少于20個；建立長江口水域環境古陶瓷彩釉腐蝕作用機制模型不少于3套；完成基于納米傳感技術的典型微生物病害現場快速檢測試劑盒研發，檢測靈敏度100 CFU/mL以內，檢測時間≤40 min；完成篩選及鑒定長江口二號古船典型微生物病害不少于5種；完成古船典型微生物病害智能化快速檢測系統研發，古船現場檢測應用案例不少于20個。
執行期限：2025年11月1日至2028年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
方向5：信息與制造交叉融合
1. 面向端側大模型的高能效計算芯片
研究目標：研制新型架構的計算芯片，提升大模型終端產品性能與能效。
研究內容：開發面向端側大模型的高能效計算芯片，芯片算力≥100 Tops@INT8、能量效率≥8 Tops/W@INT8、面積效率≥1 Tops/mm2@INT8。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
2. 高性能AI算力芯片系統容錯優化管理平臺
研究目標：面向高性能算力芯片運行可靠性的關鍵需求，構建容錯優化管理平臺產品，實現對算力系統觀測、預測、干預。
研究內容：研究系統級算力芯片運行數據采集、健康狀態建模、趨勢預測、異常識別、錯誤溯源與定位的技術，研究系統級魯棒性增強機制，構建算力集群的軟硬件協同管理平臺，減少因芯片老化等導致的計算中斷30%以上，故障預測誤報率控制在5%以內。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過200萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
3. 具身智能體數字基因
研究目標：面向具身智能體對物理世界的通用感知、理解推理和交互需求，為機器人建立真實世界的抽象表示，提升機器人執行任務時的泛化能力。
研究內容：研究物理場景的程序化表示，為機器人提供高維度、概念化的抽象描述和完全可觀測的狀態空間。研發動態場景認知與決策支持系統，通過對場景的數字化孿生與實時仿真，實現智能體在真實場景下的認知與決策。開發基于物理規律和生成式AI的合成數據生成技術，為具身智能體提供高質量、可交互的物體與場景數據，提升其場景泛化能力。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
方向6：材料與制造交叉融合
1. 先進顯示用黑色光刻膠制造
研究目標：開展黑色光刻膠制造技術研究，推動新一代無偏光片OLED顯示器性能突破，實現本征黑色光刻膠的產業化應用。
研究內容：開展無顏料添加的黑色光敏聚酰亞胺制造技術研究，實現遮光性（OD值≥1），曝光能量≤150 mJ/cm2，分辨率≤3 μm，固化溫度≤270°C，拉伸強度≥80 MPa，模量≥3 GPa，斷裂伸長率≥8%，熱膨脹系數≤50 ppm/K（50-150°C），介電常數≤3.6，吸水率≤1.2%，Taper角≤30°，光刻無殘留。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元，企業自籌經費與申請資助經費的比例不低于1:1。
申報主體要求：本市企業。
2. 無機光敏材料極紫外光刻膠制造
研究目標：面向3 nm以下節點，開發基于新一代無機光敏材料光刻膠制造技術，避免現有有機光刻膠體系的化學模糊效應問題。
研究內容：開展無機材料光敏功能調控研究，攻克無機光敏材料精準制造與集成工藝難題，解決傳統光刻膠隨機噪聲和線寬粗糙度問題，突破物理分辨率極限，實現準原子級無機填料均勻性，分辨率≤12 nm，曝光靈敏度<20 mJ/cm2。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
3. 高頻通信用超低介電基板制造
研究目標：面向物聯網、自動駕駛、遠程醫療等領域對高頻、低延遲通信的需求，開展新材料體系PCB基板前沿制造研究，實現新材料體系PCB基板制造與應用。
研究內容：開發介電損耗低、耐熱變溫度高、熱膨脹系數小、阻燃等級高和輕量化的超低介電常數基板材料，實現介電常數≤1.5，介電損耗≤0.0008，熱變形溫度≥260℃，壓縮模量≥20 MPa，熱膨脹系數≤30 ppm/℃，阻燃等級達到UL94V-0的基板材料制造。
執行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。
二、申報要求
除滿足前述相應條件外，還須遵循以下要求：
1. 項目申報單位應當是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應能力。
2. 對于申請人在以往市級財政資金或其他機構（如科技部、國家自然科學基金等）資助項目基礎上提出的新項目，應明確闡述二者的異同、繼承與發展關系。
3. 所有申報單位和項目參與人應遵守科研誠信管理要求，項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內容的項目申請。
4. 申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。
5. 所有申報單位和項目參與人應遵守科技倫理準則。擬開展的科技活動應進行科技倫理風險評估，涉及科技部《科技倫理審查辦法（試行）》（國科發監〔2023〕167號）第二條所列范圍科技活動的，應按要求進行科技倫理審查并提供相應的科技倫理審查批準材料。
6. 所有申報單位和項目參與人應遵守人類遺傳資源管理相關法規和病原微生物實驗室生物安全管理相關規定。
7. 已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報。
8. 項目經費預算編制應當真實、合理，符合市科委科技計劃項目經費管理的有關要求。
9. 各研究內容同一單位限報1項。
三、申報方式
1. 項目申報采用網上申報方式，無需送交紙質材料。請申請人通過“上海市科技管理信息系統”（http://svc.stcsm.sh.gov.cn）進入“項目申報”，進行網上填報，由申報單位對填報內容進行網上審核后提交。
【初次填寫】使用“一網通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉入“一網通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進入申報指南頁面，點擊相應的指南專題，進行項目申報；
【繼續填寫】使用“一網通辦”登錄后，繼續該項目的填報。有關操作可參閱在線幫助。
2. 項目網上填報起始時間為2025年9月15日9:00，校內截止時間為2025年9月28日16:30。
四、評審方式
專題二、方向4中“高性能磁性微球材料制備技術及應用”項目實施“賽馬制”，采用一輪見面會評審方式；其他項目采用一輪通訊評審方式。
五、立項公示
上海市科學技術委員會將向社會公示擬立項項目清單，接受公眾異議。
六、實施管理要求
市科委將明確項目專員對項目實施進行跟蹤管理，開展“里程碑”式考核。項目承擔單位需落實項目實施的主體責任，配合市科委開展項目過程管理及評估考核工作。市科委根據“里程碑”考核結果調整相關項目后續實施方案，對于未達預期的及時終止。專題二、方向4中“高性能磁性微球材料制備技術及應用”項目實施“賽馬制”，項目以產品為導向，擬首選不超過3個研發水平相當、采用不同技術路線的團隊平行立項，通過“里程碑”節點考核，擇優予以后續支持。
聯系人：縱向管理科
聯系電話：55274272
科技發展研究院
